集成電路封裝測試是確保芯片性能與可靠性的核心環(huán)節(jié)，主要包括?晶圓級測試（CP測試）?和?封裝后測試（FT測試）?兩大階段，流程如下：

一、晶圓級測試（CP測試）

1.?測試目的?：在晶圓切割前篩選出功能缺陷或性能不達標的晶粒（Die），避免后續(xù)封裝環(huán)節(jié)的資源浪費，顯著降低制造成本。

2.?核心設(shè)備與操作?

l ?探針臺（Prober）?：通過高精度移動平臺將探針與晶粒的Pad jing準接觸，實現(xiàn)電氣連接。

l ?ATE測試機?：提供測試電源、信號輸入及功能向量，接收晶粒反饋信號以判定其良率（例如檢測漏電流、閾值電壓等參數(shù)）。

l ?探針卡（Probe Card）?：根據(jù)芯片Pad布局定制，確保ATE信號與晶粒引腳導通。

3.?輸出結(jié)果?

生成晶圓缺陷圖（Wafer Map），標記**晶粒（如打墨點），供后續(xù)封裝環(huán)節(jié)剔除。

二、封裝流程關(guān)鍵步驟

1.?前段處理?

l ?晶圓減薄?：通過背面研磨將晶圓厚度調(diào)整至封裝要求（如100μm以下），并粘貼保護膠帶防止電路損傷。

l ?晶圓切割?：用金剛石刀片或激光切割將晶圓分割為獨立晶粒，清洗后去除殘留碎屑。

2.?核心封裝工藝?

l ?芯片貼裝（Die Attach）?：將晶粒固定在基板或框架上，通過銀漿或焊料實現(xiàn)機械固定與導熱。

l ?引線鍵合（Wire Bonding）?：用金線/銅線連接晶粒Pad與封裝基板引腳，確保信號導通。

l ?塑封成型（Molding）?：使用環(huán)氧樹脂（EMC）包裹芯片，保護內(nèi)部結(jié)構(gòu)免受物理和化學損害。

3.?后段處理?

l ?激光打標?：在封裝表面刻印型號、批次等信息。

l ?電鍍與切割?：對引腳進行電鍍處理（如鍍錫/鎳），增強可焊性，并切除多余塑封材料。

三、封裝后測試（FT測試）

1.?功能驗證?

l 檢測封裝后芯片的電氣性能（如工作頻率、功耗、I/O信號完整性），確保符合設(shè)計規(guī)格。

l 通過邊界掃描（Boundary Scan）等技術(shù)驗證內(nèi)部邏輯功能。

2.?可靠性測試?

l ?環(huán)境應(yīng)力測試?：包括高溫/低溫循環(huán)（-55℃至+150℃）、高濕高壓（如85℃/85%RH）等，驗證芯片壽命與穩(wěn)定性。

l ?機械強度測試?：如振動、沖擊測試，評估封裝結(jié)構(gòu)可靠性。

3.?量產(chǎn)終測?

自動化測試設(shè)備（ATE）批量執(zhí)行測試程序，生成測試報告（含良率、失效模式等數(shù)據(jù)）。

四、技術(shù)演進與效率優(yōu)化

l ?自動化升級?：通過視覺定位系統(tǒng)與機械臂實現(xiàn)探針快速校準，提升CP測試效率（如每小時測試晶圓數(shù)量提升30%）。

l ?多芯片并行測試?：支持存儲器等芯片的多點同步測試，降低單顆測試成本。

集成電路封裝測試通過?晶圓篩選-封裝保護-功能驗證?的閉環(huán)流程，確保芯片性能達標與chang期可靠性。晶圓級測試（CP）與封裝后測試（FT）的分段實施，顯著降低制造成本（**品處理成本相差10倍以上）。隨著探針臺精度提升（達±0.1μm）與測試設(shè)備智能化，該流程正加速向高集成度、高可靠性方向演進。