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          霍爾效應(yīng)實驗儀—高低溫磁場型

          更新時間:2023-12-04 點擊量:408

          產(chǎn)品概述:

          本儀器系統(tǒng)由:電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦,控溫儀,系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體,大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到,可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

          可測試材料

          半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等;

          低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等;

          高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

          技術(shù)指標(biāo):

          電磁鐵磁場:10mm間距為2T 、 30mm間距為1T

          *  樣品電流:0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

          *  測量電壓:0.1uV~30V

          *  提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)

          *  分辨率極小值:0.1GS

          *  磁場范圍:0-1T

          * 配合高斯計或數(shù)采板可計算機(jī)通訊

          * I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

          *  霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線

          * 電阻率范圍:5*10-55*102Ω.cm

          *  電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms

          *  載流子濃度:5*101251*1020cm-3

          * 霍爾系數(shù):±1*10-2±1*106cm3/C

          *  遷移率:0.1~108cm2/volt*sec

          *  溫度調(diào)節(jié) 0.1K

          *  溫區(qū):78K-475K,室溫-773K(選配)

          *  測試全自動化,一鍵處理

          *  可實現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測量


          聯(lián)系方式

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